| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/13 ~ 10/14, 제주 ICC) |
| 권호 | 30권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | 세로형 고분자 발광 트랜지스터의 제작과 발광 특성 제어에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 ITO 기판 위에 고분자 발광층과 세로형 유기 트랜지스터를 결합시킨 수직 일체형 고분자 발광 트랜지스터를 제작하여 전류-전압 특성 및 발광 특성을 조사하였다. ITO 투명 전극 위에 정공 주입층(PEDOT/PSS),발광층(MEH-PPV,PF,P3HT)을 spin casting 하였고 그 위에 n-type F16CuPc,Al게이트 전극, n-type F16CuPc, Al전극 순서로 10-5 torr 이하에서 박막으로 진공 증착하였다. 유기물과 게이트 전극과의 접촉면적을 크게하기 위하여 Al gate 전극구조는 100㎛ 간격으로 grid type으로 증착하였다. 전류-전압특성 및 발광 특성은 source meter와 optical meter를 이용하여 측정하였고 이를 통해서 세로형 고분자 발광 트랜지스터의 전기적 특성을 검토하였다. 또한 고분자 발광물질의 종류, 두께, 게이트의 전극종류등에 따른 발광특성의 효율을 조사하여 발광트랜지스터의 최적 구성 요건을 검토하였다. |
| 저자 | 황선각, 김희정, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | 세로형 발광 트랜지스터; 고분자 발광층 |
