| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (10/27 ~ 10/29, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 정보.전자소재 |
| 제목 | DMDCNQI를 고분자/금속사이의 계면특성향상물질로 사용한 세로형 발광 트랜지스터의특성에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 용액 공정이 가능한 전도성 고분자를 이용하여 세로형 발광 트랜지스터를 제작하였다. 용액공정을 이용하여 고분자 트랜지스터를 제작시 금속과 계면사이에 접촉저항이 발생되는데, 이번 연구에서는 전하착체 화합물인 DMDCNQI를 이용하여 접촉저항을 개선하였다. 고분자 물질은 용액공정으로 제작하였고, DMDCNQI는 진공 증착 시켰다. 최종적으로 ITO/P3HT/Gate/P3HT/DMDCNQI/금속전극의 소자를 제작하였으며, DMDCNQI의 두께 및 Source, Gate 금속의 종류에 따른 접촉저항 및 에너지밴드 구조의 변화에 따른 최적화된 세로형 고분자 발광트랜지스터를 제작하였다. 특히 게이트 금속의 열처리 및 DMDCNQI의 개질화에 따른 세로형 트랜지스터의 On/Off 비율에 미치는 물리적 영향을 검토하고자 한다. |
| 저자 | 민현식, 이태연, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | 세로형 발광트랜지스터; 접촉저항; DMDCNQI; 개질화 |
