| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (10/07 ~ 10/08, 대구 EXCO) |
| 권호 | 35권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자소재 및 소자 |
| 제목 | N형 유기 buffer층으로 전하착체화합물을 사용한 유기태양전지의 제작과 특성에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 N형 유기 buffer층으로서 사용된 DMDCNQI가 활성층으로 P3HT:PCBM을 사용한 유기태양전지의 성능에 미치는 영향을 알아보기 위하여 ITO/P3HT:PCBM/DMDCNQI/metals 구조로 소자를 제작하고, 최적화된 성능을 나타내는 금속과 DMDCNQI의 두께, 증착속도를 확인하였다. 활성층은 스핀코팅기법으로, DMDCNQI와 금속 전극은 진공 열 증착기를 이용하여 10-5 torr 이하에서 증착하였다. 금속 전극으로는 Al, LiAl, Cu, Au 등을 사용하였다. 최적화된 성능은 DMDCNQI를 0.5 Å/s로 30 Å 증착하고, 금속전극을 Al로 사용하였을때 9.891 mA/cm2의 높은 Jsc와 0.5814의 Voc, 0.5118의 fill factor, 2.94 %의 태양전지효율을 나타내었다. |
| 저자 | 소병민, 양의열, 오세용 |
| 소속 | 서강대 |
| 키워드 | 유기태양전지; 전하착체화합물; DMDCNQI |
