| 초록 |
2차원 전자소자의 3차원 변형 방법은 초기 평면구조가 가지는 공정적 이점과 변형 후 3차원구조가 지니는 장점을 동시에 지닐 수 있어 고성능 3차원 전자소자의 개발에 유망한 방법이다. 고분자 기판은 가소화를 통해 물성의 변형이 가능하며, 소성변형을 통해 변형 후 형태를 유지할 수 있어, 형태 변형을 위한 기판으로 사용이 용이하다. 본 연구에서는 소프트 리소그래피를 통해 제작된 폴리디메틸실록산 마이크로채널을 아크릴로나이트릴-부타디엔-스타이렌 공중합체(ABS) 기판에 부착하고, 용매를 주입하여 노출시키는 방법을 통해, ABS기판을 선택적으로 가소화하는 방법을 개발하였다. 가소화 용매는 아세톤 및 디메틸포름아마이드를 사용하였으며, 가소화된 ABS기판은 영률을 약 1/1000로 감소하고, 연신률이 약 240%까지 증가함을 확인하였다. 구부림 실험을 통해 가소화된 고분자 위의 전극의 전도도를 확인하여 기판이 전자소자에 미치는 영향을 확인하였다. 이 방법을 이용한 실시 예로 평면구조에서 시작해서 다양한 3차원구조 디스플레이를 성공적으로 개발하였다. |
