| 초록 |
본 논문은 축전 결합형 라디오파 플라즈마 ( CCP RF Plasma ) 장비를 사용하여 산화아연 박막을 O2와 N2O 플라즈마 처리를 하였으며 그 결과에 대한 것이다. 산화아연 박막은 글라스 기판 위에 산화아연 졸-겔 용액을 스핀코팅 방법을 사용하여 증착시켰다. 증착시킨 산화아연 박막에 축전 결합 플라즈마 시스템을 사용하여 O2와 N2O 플라즈마를 0~150 W RF 파워 변화 조건에서 30초 동안 처리하였다. 원자간력 현미경 ( atomic force microscopy ) , 홀 측정 ( Hall measurement ), UV-Vis spectroscopy, photocurrent measurement로 표면상태, 광학적, 전기적 특징을 측정하였다. RF 플라즈마 처리 파워가 증가할수록 전기적 특성이 향상되었다. RF 플라즈마 처리의 결과 산화아연 광학적 밴드갭 에너지를 증가시켰다. O2 플라즈마 공정을 통해 처리 된 산화아연 박막이 기존의 박막보다 더 좋은 광전류 특성을 나타냈다. 일반적인 산화아연 박막은 인가전압 5 V 의 조건에서 2.23 x 10-7 A 이었다. 그러나 150 W 플라즈마 처리 박막 샘플에서는 같은 조건에서 2.92 x 10-4 A 이었다. 따라서 플라즈마 처리로 전류 흐름이 약 103 제곱 정도 향상되는 것을 알 수 있었다. |
