| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 | 17권 1호 |
| 발표분야 | F. Display and optic Materials and processing(디스플레이 및 광 재료) |
| 제목 | n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 광전 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 MOCVD로 성장된 p-GaN:Mg template 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 ZnO를 증착하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합 구조를 형성하고 LED를 제작하여 광학적 성질과 전기적 성질을 조사하였다. p-GaN의 두께는 150 nm와 300 nm 이었고, ZnO의 두께는 20 ~ 100 nm의 범위에서 변화시켰으며, ZnO 박막은 p-GaN template를 200 ℃의 온도로 가열하며 0.7 nm/min의 증착속도로 Ar 가스 분위기에서 스퍼터링하였다. ZnO 박막의 구조적 특성과 전기적 성질 및 광학적 성질을 조사하였고, Al을 전극으로 하는 LED를 제작하여 전기발광 특성을 조사하였다. p-GaN template 위에 스퍼터된 ZnO는 (0002) 방향의 단일상으로 성장되었다. ZnO의 비저항은 박막의 두께가 20 nm에서 60 nm로 증가함에 따라 28 mΩ∙cm에서 7 mΩ∙cm로 감소하였다. p-GaN의 두께가 150 nm에서 300 nm로 증가함에 따라 순방향 전류의 크기가 감소하였으며, p-GaN의 두께가 두꺼울수록 n-ZnO의 특성에 LED의 특성이 강하게 의존하였다. |
| 저자 | 김준1, 송창호2, 신동휘1, 조영범2, 배남호1, 변창섭2, 김선태1 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | n-ZnO; p-GaN; LED; Heterosturcture |
