| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | B. Nano materials and processing Technology(나노소재기술) |
| 제목 | 광대역의 SLD 위한 양자점 성장과 특성에 관한 연구 (Growth and characterization of quantum dots for broadband super luminescence diodes) |
| 초록 | 양자점은 낮은 문턱전압을 가지며 높은 효율을 구현함과 동시에 좋은 상온동작 특성을 보여 여러 광 소자에 응용가능성이 크다. 특히 일반적인 S-K 양자점에 비해 원자 층 에피 성장방법 ( Atomic Layer Epitaxy : ALE )으로 성장한 양자점은 크기, 조성비의 조절이 용이하며 크기 균일도가 우수한 장점뿐만 아니라 2차원 효과를 발생하는 wetting layer의 두께가 작은 장점이 있어 최근 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 양자점을 이용한 고휘도 광원( Super-Luminescence Diode : SLD )은 측면발광을 하고 파장 대역폭이 넓으며 low-coherence 하여 단일모드 광섬유와 결합효율이 좋고 높은 광 효율을 얻을 수 있는 발광소자다. SLD의 파장 대역폭을 증가시키기 위해, 분자선 에피텍시( Molecular Beam Epitaxy : MBE ) 법으로 성장된 1.1㎛ 파장대역의 발광 특성을 가지는 InGaAs ALE 양자점, 1.2㎛ 파장 대역의 발광 특성을 가지는 InAs ALE 양자점, 그리고 1.3㎛ 파장 대역의 발광 특성을 가지는 D-WELL (Dots in a Well)을 수직 적층하여 광학적 특성을 분석하였다. 상온 PL 측정 결과 1,179nm와 1,273nm에서 peak을 확인하였다. 이는 시료 내의 서로 다른 종류의 양자점이 모두 발광 특성을 보임을 의미하며, 양자점의 발광 특성이 중첩되어 파장 대역폭이 증가하는 효과를 보이는 것이다. 반치폭(FWHM)은 180nm를 보여, 서로 다른 종류의 양자점을 수직으로 적층한 구조가 SLD의 파장 대역폭을 향상시킴을 알 수 있었다. |
| 저자 | 박성준1, 명재민2, 신범기1, 임주영1, 김수연2, 이은혜2, 송진동2, 최원준2 |
| 소속 | 1연세대, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 | Super luminescence diodes (SLD); Atomic layer epitaxy (ALE); Molecular beam epitxy (MBE) |
