| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 |
질산을 이용한 실리콘 산화막에 관한 연구 |
| 초록 |
실리콘 웨이퍼를 질산 용액 처리를 통해 누설 전류가 작은 실리콘 산화막을 형성할 수 있다. 질산 처리 실리콘 산화막의 경우 thermal oxidation 방법에 비해서 낮은 온도 공정을 통해서 좋은 전기적 특성을 보인다는 장점이 있다. 68 wt% HNO3에 넣을 경우 실리콘 산화막이 일정 두께 이상 성장하지 않기 때문에 seed layer 산화막을 형성시킨 후 68 wt% HNO3에 공정을 진행하게 된다. 본 연구에서는 첫 단계에 질산을 대신해서 더 효과적인 seed 역할을 할 수 있는 용액을 찾아서 실험하였다. 40%wt HNO3, H2SO4-H2O2, HCl-H2O2 용액에서 여러 온도에서 실리콘 웨이퍼를 10분 동안 담근 후에 121°C인 68 wt% HNO3에서 실리콘 산화막을 성장시켰다. 엘립소미터를 사용하여 실리콘 산화막의 두께를 측정하였으며, I-V 측정 장치를 사용하여 각 샘플의 전기적 특성을 보았다. |
| 저자 |
부현필, 강민구, 김영도, 이경동, 박효민, 탁성주, 박성은, 김동환
|
| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
질산; 산화막; 패시베이션
|
| E-Mail |
|
