| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 |
21권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지 재료 |
| 제목 |
Injection current into a boron emitter during firing in n-type silicon solar cells |
| 초록 |
N-type 실리콘 태양전지의 보론 에미터에 conventional Ag paste로 전면 컨택을 하면, 접촉 특성이 떨어진다. 본 연구에서는 소성 공정 중에 전자를 주입하여 접촉 저항을 낮추었다. 전자 주입 효과로 보론 에미터에 많은 양의 Ag가 석출되는 것을 관찰하였다. Ag crystallite와 dendrite 형상이 SEM image 상에 나타났다. 보론 에미터와 Ag 전극 사이의 접촉 저항 측정 결과 전자 주입을 하지 않은 시편보다 10000배 이상 낮은 저항이 계산되었고, 0.021 mΩ∙cm2 이라는 우수한 접촉 저항 값을 얻었다. 이 수치는 기존의 p-type 실리콘 태양전지에서의 값보다 100배 가량 낮은 수치이다. 따라서, 전자 주입은 Ag paste를 이용하여 n-type 실리콘 태양전지의 접촉 저항을 낮출 수 있는 가능성이 있다. 또한, 소성 공정의 냉각 단계에서, Ag는 electrochemical migration에 의해 dendrite 형상으로 성장한다. 그 후, Ag는 실리콘 에칭 반응에 의해 crystallite 형태로 성장한다. |
| 저자 |
김동환1, 이해석1, 강윤묵1, 허주열1, 송희은2, 최성진1, 최재욱1, 김찬석1
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| 소속 |
1고려대, 2한국에너지기술(연) |
| 키워드 |
전자 주입; 보론 에미터; 실리콘 태양전지; Ag paste; 접촉 저항
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