| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
B. Nanomaterials Technology (나노소재기술) |
| 제목 |
탄소나노튜브 필름 위의 갈륨비소 나노선 성장 |
| 초록 |
일차원 나노구조를 갖는 재료는 크기효과 뿐만 아니라 단결정성, 일차원성으로 인해 새로운 물리적, 화학적 성질과 높은 표면적-부피비 등으로 인하여 많은 관심의 대상이 되고 있다. 일차원 나노구조 중에 특히 GaAs 나노선의 경우, 미래의 전자 소자 혹은 광자 소자로서의 잠재력 때문에 많은 연구가 이루어지고 있다. GaAs 나노선은 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), CBE(Chemical Beam Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy)등의 방법으로 성장시킨 연구가 이미 보고되어 있다. 또한, 탄소나노튜브는 전도도가 매우 좋은 물질로 현재 사용되고 있는 비싼 산화인듐주석(indium-tin-oxide, ITO) 투명전극을 대체할 후보 물질로 여겨지고 있다. 또한 플렉시블(flexible) 재료에 탄소나노튜브를 합성할 경우 구부리거나 휘고 접고 할 수 있기 때문에 다음 세대의 디바이스에 투명한 전극으로 각광 받고 있다. 본 연구에서는 아크 방전법으로 합성한 단일벽 탄소나노튜브에 메탄올을 도포하여 탄소나노튜브를 필름 형태로 만들었고 열처리와 산을 이용한 식각 공정을 통해 탄소나노튜브에 잔재하는 비정질 탄소와 촉매 금속을 제거하였다. 이 탄소나노튜브 필름 위에 MBE를 이용하여 GaAs 나노선을 성장시켰다. 본 연구는 구부릴 수 있으며 전도성이 있는 기판 위에 GaAs 나노선을 Au와 같은 특별한 촉매 금속없이 성장시켰다는 것에 의미가 있다. 탄소나노튜브 필름이 특별한 촉매금속 없이도 GaAs 나노선이 자라도록 유도하는 역할을 하는 것으로 보인다. 또한 본 연구의 탄소나노튜브 필름과 GaAs 나노선 구조는 추후 태양전지나 디스플레이, 센서 등의 응용에 장점이 있을 것으로 보인다. |
| 저자 |
임현철, 찬드라세카, 장동미, 안세용, 정혁, 김도진
|
| 소속 |
충남대 |
| 키워드 |
갈륨비소; 탄소나노튜브; 나노선; 분자선 에피택시
|
| E-Mail |
|
