| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2011년 봄 (05/26 ~ 05/27, 제주 휘닉스 아일랜드) |
| 권호 |
17권 1호 |
| 발표분야 |
B. Nanomaterials and Processing Technology((나노소재기술) |
| 제목 |
P(VDF-TrFE)를 이용한 비휘발성 강유전체 박막 트랜지스터 |
| 초록 |
최근 강유전체 메모리 개발에 있어 대두되는 기술 이슈는 저온 공정과 동작 전압을 낮추는 것이다. 이러한 관점에서 보면 현재까지 보고되고 있는 물질들의 조합으로는 저온공정과 저전압 동작을 동시에 만족시키기는 어렵다. 무기물 강유전체의 경우 결정화에 필요한 온도가 높기 때문에 저온 공정이 불가능하고, 유기물 강유전체의 경우에는 박막의 두께가 상대적으로 두껍기 때문에 인가 전압이 높아 저전압 동작이 어렵다. 결국 저온 공정과 저전압 동작을 동시에 달성하기 위해서는 인가 전압을 낮추기 위해 유기물 강유전체 박막의 두께를 얇게 하는 것이 하나의 방법일 수 있다. 본 논문에서는 유기물 강유전체 재료인 P(VDF-TrFE)를 이용한 저전압 동작이 가능한 강유전체 메모리 트랜지스터(Ferro-TFT)에 대하여 소개하고자 한다. P(VDF-TrFE)는 결정화 온도가 낮기 때문에 저온공정이 가능하며, 용액 공정을 통한 소자 제작이 가능하기 때문에 플렉서블 소자 응용에도 적합한 재료이다.
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| 저자 |
정순원, 구재본, 양용석, 백강준, 유인규
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| 소속 |
한국전자통신(연) |
| 키워드 |
강유전체 메모리; 박막트랜지스터; 비휘발성 메모리; P(VDF-TrFE)
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