| 초록 |
임피던스 스펙트로스코피를 이용한 표면분석은 기존 분석 방법과는 다르게 별도의 시료처리 과정 없이 진행하며, 다양한 기기와 결합을 통해, 소량의 시료로 측정할 수 있다는 장점이 있다. 또한, 교류 임피던스는 매우 민감하여 작은 전기적 신호변화의 측정이 가능하므로 탐침 현미경과 병합하여 사용될 경우 나노 규모에서 전도성 및 비전도성 물질의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 이에 본 연구에서는 양이온 교환반응을 이용하여 셀레늄 입자 표면에 형성된 다양한 구성의 반도체성 셸(CdSe, ZnSe, MnSe)을 갖는 코어-셸 구조의 입자를 합성하고, 그 임피던스 특성을 측정하였다. 각각 입자의 임피던스 스펙트로스코피에서 측정된 교류 임피던스 신호를 전기회로 모델링을 통해 분석하고, 이로부터 나노 입자 표면에 존재하는 셸 층의 구성성분에 따른 영향을 분석하였다. 이상의 방법을 통해 임피던스 신호는 셀레늄 입자 표면을 둘러싸고 있는 셸의 구성성분에 따라 서로 다른 capacitance와 inductance 값을 가짐을 확인하였으며 이를 통하여 나노입자 표면의 전기화학적 분석이 가능함을 제시하였다. |
