| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | 다결정 실리콘 씨앗층에서의 Hot-wire CVD 방법을 이용한 에피택셜 실리콘 성장에 관한 연구 |
| 초록 | 오늘날, OLED, LCD와 같은 평판 디스플레이용 박막 트랜지스터(TFT)나 태양전지, 이미지 센서 등과 같은 다양한 반도체 전자소자의 대면적화 요구가 증가함에 따라, 유리 기판과 같은 저가의 대면적 기판을 사용할 수 있도록 600℃ 이하의 저온에서 다결정 실리콘을 제조하기 위한 다양한 노력이 이루어지고 있다. 그 중에서도 금속유도결정화(Metal Induced Crystallization) 방법은 비정질 실리콘의 결정화 온도를 낮추고 결정화 시간을 단축하면서 박막의 결정성을 향상시키기에 유리하다. 그러나, 이렇게 제조된 다결정 실리콘 박막은 표면에 잔류 금속에 의한 오염도가 높으며, 결정립계 및 결정립 내의 여러 가지 결정 결함의 존재로 인하여 전계효과이동도의 감소, 누설전류의 증가와 같은 소자의 성능을 저하시키는 여러 가지 문제점을 나타내고 있어, 이를 개선하기 위한 노력이 필요하다. 본 연구에서는 이러한 금속유도결정화 방법이 가지는 문제점을 해결하기 위하여, 500℃ 이하의 저온에서 결정화된 다결정 실리콘 박막 위에 Hot wire CVD 방법으로 에피택셜 실리콘 층을 성장시킴으로써 최종적으로 고품질의 다결정 실리콘 박막을 제조하는 방법을 제안하였다. |
| 저자 | 이승렬, 안경민, 안병태 |
| 소속 | 한국과학기술원 신소재공학과 |
| 키워드 | hot wire CVD; 에피택셜 실리콘; 금속유도결정화법; 저온 다결정 실리콘 |
