화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2015년 봄 (04/22 ~ 04/24, 제주 ICC)
권호 21권 1호, p.1359
발표분야 박균영 교수 정년 기념 심포지엄: 새로운 도약을 위한 분체연구동향(미립자공학부문위원회 주제별 심포지엄)
제목 고순도 SiO2 제조에 필요한 전구체 개발
초록 이산화규소(SiO2)는 석영, 규석, 규암, 규사 등으로 산출되어 산업적 용도로 사용되어지나 그 품위가 일정하지 않고 99.99% 이상의 고순도는 천연상태에서는 아직까지 존재가 알려진 봐가 없으며, 정제과정을 통해 고순도 SiO2를 얻기 위해서는 여러 단계의 공정을 거쳐야 하며 환경적으로 부담이 되는 공정들이 수반된다. 고순도의 SiO2를 얻기 위해서 할 수 있는 다른 방법은 이산화규소의 환원공정과 산화공정을 직접 수행함으로써 합성할 수 있다. 이렇게 얻어지는 이산화규소는 고순도이면서 SiO2의 품위를 일정하게 유지할 수 있는 특징이 있다. SiO2의 합성공정은 크게 4가지 방법으로 구분 할 수 있으며, 첫 번째로 메탈실리콘(M-Si)를 염소화 반응시켜 SiCl4를 만드는 방법, 두 번째 메탈실리콘을 에탄올과 직접 반응시켜 Si(OC2H5)4를 만드는 방법, 세 번째 이산화규소를 탄소와 반응시키면서 염소가스를 이용해 SiCl4를 만드는 방법, 네 번째 메탈실리콘을 NaOH을 반응시켜 직접 SiO2를 만드는 방법 등이 있다. 첫 번째에서 세 번째까지의 방법은 전구체를 만들어 고순도  SIO2를 만드는 간접방식이고, 네 번째 방법은 직접방식으로 솔루션에서 직접 SiO2가 만들어지기 때문에 다양한 SiO2 어플리케이션에 적용하는 데는 한계가 있다. 본사에서는 고순도 SiO2를 만들기 위해 필요한 전구체를 얻기 위해 첫 번째 방법과 두 번째 방법을 시도해 보았으며 마지막으로 세 번째 방법을 시도하려고 준비 중에 있다. 첫 번째 방법과 두 번째 방법을 연구개발 진행하면서 얻어진 그 결과에 대하여 발표한다.
저자 유지철
소속 시노베스트㈜ 기업부설(연)
키워드 SiO2; SiCl4; Si(OC2H5)4
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