| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2011년 가을 (10/06 ~ 10/07, 김대중 컨벤션센터) |
| 권호 |
36권 2호 |
| 발표분야 |
기능성고분자－막분리용 고분자 |
| 제목 |
Synthesis and Characterization of F-containing Silsesquioxane for Low-k Interlayer Dielectric Application |
| 초록 |
반도체 배선사이에 들어가는 층간절연물질 저유전물질로써 분극률이 낮은 불소그룹(F)을 소량도입된 고강도의 실세스키옥산물질을 연구하였다. 이를 위하여 이차원환형실록산Cyclo-methyltetrasilanol (MT4), 불소실란단량체Fluoro-akoxysilane 및 Trialkoxymethylsilane (TAMS)을 모노머로 사용하여 약산의 조건하에서 실세스퀴옥산 졸전구체를 합성하였다. 합성된 불소함유 실세스키옥산을 Spin-on-dielectric (SOD) 공정을 통하여 경화시킨 박막의 물질은 기존의 졸-겔화재료에 비하여 높은 표면모듈러스와 낮은유전특성을 나타내었는데, 이는 MT4의 강한 가교효과와 분극현상를 최소화하는 불소에 의해 저유전특성이 극대화된것으로 판단된다. 얻어진 최종물질의 화학적구조는 1H-NMR, 29Si-NMR과 FT-IR을 통하여 분석하였고, 박막의강도및 유전특성은 nanoindenter와 impedanceanalyzer로 각각측정하였다. |
| 저자 |
오성연1, 최승석2, 이희승1, 황승상1, 최형민1, 백경열3
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| 소속 |
1한국과학기술(연), 2나노하이브리드센터, 3숭실대 |
| 키워드 |
silsesquioxane; TMAS; fluoro-alkoxysilane
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| E-Mail |
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