| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2012년 봄 (04/12 ~ 04/13, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
37권 1호 |
| 발표분야 |
기능성 고분자 |
| 제목 |
Open POSS를 이용한 구조제어를 통한 저유전 물질 합성 |
| 초록 |
저유전 매트릭스로 가장 많이 쓰이는 Methylsilsesquioxane (MSQ) 매트릭스의 저유전화와 고강도화를 위하여 Methyltrimethoxysilane (MTMS) 단량체와 Bis(triethoxysilyl)ethane (BTESE) 가교제를 산 촉매를 이용하여 졸젤반응을 통하여 실세스키옥산 졸을 제조한 뒤, 다양한 비율의 partial cage 구조를 갖는 open POSS를 첨가하여 실록산 매트릭스에 초미세 나노구조 기공을 갖는 저유전 물질을 제조하여 그 특성을 파악하였다. 합성된 졸은 1H NMR과 FT-IR, 29Si NMR을 통하여 조성 및 구조를 분석하였으며, 스핀코팅과 경화반응을 통하여 얻어진 박막의 강도 및 유전상수를 측정한 결과, 11 GPa의 modulus와 1.5 GPa의 Hardness값을 가지며, 유전상수는 2.6이었으며, 실제 공정 테스트한 결과 우수한 갭필 특성 및 CMP공정에 안정한 것을 확인할 수 있었다. |
| 저자 |
장소현1, 오성연2, 이성수2, 이희승2, 황승상2, 백경열1
|
| 소속 |
1Korea Institute of Science and Technology-UST, 2한국과학기술(연) |
| 키워드 |
low dielectric constant; POSS; semiconductor
|
| E-Mail |
|
