| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 | ZnO 활성층의 미세구조에 따른 산화물 트랜지스터 특성에 미치는 영향 |
| 초록 | 차세대 디스플레이용 백플레인 기술은 높은 해상도와 대면적화를 구현하기 위한 필요 조건인 높은 전계 효과 이동도, 높은 안정성, 투명성, 그리고 저가 공정이 필요함에 따라 기존의 Si 기반 트랜지스터의 문제점들을 보완하기 위해 많은 노력을 하고 있다. 최근에, 산화물 트랜지스터는 Si 기반 트랜지스터보다 높은 이동도와 가시광 영역에서의 높은 투과도, 그리고 저공정이 가능하다는 장점으로 인해 많은 연구들이 각광 받고 있다. 특히, ZnO 기반 산화물 트랜지스터는 성장조건과 다른 원소들과의 Doping 혹은 alloy를 통해 전기적 특성의 제어가 용이하다는 장점으로 고효율 트랜지스터를 구현하기 위해 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 Sputtering에 의해 성장된 박막의 전기적 구조적 특성을 제어할 수 있는 산소분압에 따라 ZnO를 성장 시켜 트랜지스터의 특성에 미치는 영향에 대해 연구를 하였다. ZnO 박막은 SiO2/p-Si 기판위에 100 nm두께로 산소분압에 따라 Sputtering 방법을 이용하여 250oC에서 성장하였다. ZnO 박막은 리소그래피 공정을 통해 패터닝하였고, e-beam을 통해 Ti/Au를 성장하여 Source와 Drain을 형성시켜 트랜지스터를 제작하였다. ZnO 박막의 구조적 특성과 전기적 특성을 평가하기 위해 Transmission electron microscpoy (TEM)과 HP4545B를 이용하여 분석하였다. |
| 저자 | 안철현1, 우창호1, 이주호2, 이정용2, 조형균1 |
| 소속 | 1성균관대, 2한국과학기술원 |
| 키워드 | Thin-film transistors; ZnO; Microstructures; Electrical properties |
