| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 | 14권 1호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Si Thinning Damage에 의한 Si 웨이퍼 표면의 미세구조 연구 |
| 초록 | 최근 전자 기술 분야에서 고성능, 고밀도, 다기능 그리고 소형화를 이룰 수 있는 3D 적층 기술 개발에 관한 관심이 급속히 높아지고 있다. 본 연구에서는 3D 적층 기술 중 하나인 Si 웨이퍼 thinning 공정에 관한 것으로 Si thinning damage에 의한 Si 웨이퍼 표면의 미세구조를 연구 분석하였다. 공정 조건에 따라서 grinding dynamics가 Si 표면과 subsurface에 미치는 영향을 TEM 분석을 통하여 관찰하였고, microcracks, dislocations, amorphous 층 형성 등 공정에 의한 구조적 결함을 조사하였다. 또한 KOH 용액 또는 HNO3:HF 용액에 wet etch로 표면 처리된 Si 웨이퍼의 표면 미세구조도 비교 분석하였다. |
| 저자 | 우태기, 유권종, 김은경 |
| 소속 | 서울산업대 |
| 키워드 | Si wafer thinning; Grinding; Surface damage; Structural imperfection |
