| 초록 |
도핑 기술은 반도체의 전기적 특성을 최적화하기 위하여 반도체에 의도적으로 불순물을 첨가하는 과정이다. 유기물 반도체에서도 이러한 도핑 기술을 사용하지만 두 물질을 동시에 열증착하는 유기물 반도체의 도핑 공정에서는 도펀트 분자가 나노클러스터를 형성하는 경우가 많아 분산 효율이 떨어진다. 그로 인해, 분자 대 분자 간의 전하 이동 복합체(charge transfer complex, CTC)의 형성 비율을 분석하기에 한계가 있다. 따라서 본 연구에서는 도펀트 분자와 호스트 분자를 적층하고 계면 사이에서 발생하는 전하이동을 전기적, 광학적 방법으로 분석하였다. Molybdenum trioxide (MoO3), copper(I) iodide (CuI), tungstic anhydride (WO3), rhenium(VI) oxide (ReO3) 등의 억셉터 물질을 증착한 후, 각각의 물질 위에 N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine (NPB)를 적층하였다. 계면에서 발생하는 CTC의 형성 효율과 CTC로부터 생성되는 자유전하의 증가에 따른 전기적 특성 변화는 UV-vis-NIR spectrophotomete와 전도도 측정을 통하여 분석되었다. |
