| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (05/15 ~ 05/16, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 뜨거운 곁쌓기 법에 의해 성장된 MgGa2Se4 단결정 박막의 광발광 특성 |
| 초록 | 수평 전기로를 제작하여 수평로에서 용융 성장법으로 MgGa2Se4 다결정을 합성하였다. 합성된 MgGa2Se4다결정을 이용하여 HWE 방법으로 반절연성 GaAs(100) 기판 위에 MgGa2Se4단결정 박막을 성장시켰다. 이때최적 성장조건은 이중 결정 X선 요동 곡선(double crystal X-ray rocking curve, DCRC)의 반폭치(FWHM)를 측정하여 알아보았다. 성장된 MgGa2Se4 단결정 박막을 Mg, Ga 및 Se 증기 분위기에서 각각 열처리한 후 광발광 스펙트럼을 측정하고 분석하여 이러한 열처리 결과가 중성 주개에 구속된 exciton(D0, X)과 중성 받개에 구속된 exciton(A0, X)에 의한 복사 발광 봉우리 I2와 I1 및 SA emission에 어떤 영향을 미치는가를 연구하였다. |
| 저자 | 유상하, 홍광준 |
| 소속 | 조선대 |
| 키워드 | : MgGa2Se4 single crystal thin films; hot wall epitaxy; energy band gap; photoluminescience |
