| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 | 2권 2호, p.2631 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 증착 구간의 온도 제어에 의한 SiCl4 초미립자의 균일한 증착 |
| 초록 | 본 연구에서는 튜브형 가열로 반응기를 이용한 실험 장치를 통하여 증착 구간 내에서의 균 일한 두께의 SiO2 입자의 증착을 이루도록 시도하였으며 증착 구간의 내부 벽온도 분포를 농도, 유량, 반응 구간 온도 변화에 따라 제어함으로써 균일한 두께의 증착을 이루는 방법을 고찰하였다. 이론적 모델 연구를 위해 반응기 내에서의 SiCl4 산화 반응에 의한 SiO2 입자 생성, 충돌에 의한 입자 성장 및 열영동에 의한 증착 및 입자의 확산 등의 현상을 고려하였다. 또한 실 험적으로 튜브형 가열로 반응기 끝에 Pyrex튜브로 만들어진 증착 구간을 연결하여 SiO2 입 자의 증착 현상을 고찰하였으며 이론적 예측 결과와 비교 검토하였다. 본 연구에서의 공정 변수로서 반응물 농도, 반응기 온도, 전체 기체 유량 등을 선정하였으며 튜브형 가열로 반응기에서 생성되는 SiO2 미립자 분말의 특성(크기, 농도) 및 증착 특성에 관해 고찰하였다. |
| 저자 | 유수종, 김교선 |
| 소속 | 강원대 |
| 키워드 | CVD; 열영동; 증착특성; 균일한 증착 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
