| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | Mo source 코팅을 이용한 MoS2 대면적 성장 실험 |
| 초록 | 차세대 소재로 얇고 투명하며 유연한 구조로 되어 있는 그래핀이 주목을 받기 시작했으나 band gap이 존재하지 않는 그래핀의 본질적 한계 때문에 band gap을 가지고 있는 transition metal 과 chalcogen 화합물인 transition metal dichalcogenide (TMD) 물질이 새롭게 주목받으며 이 외에도 많은 2차원 물질에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 이중 MoS2는 그래핀과 마찬가지로 투명하고 유연한 특성이 있으며, mono-layer의 경우 direct band gap을 가지는 등 그래핀을 대체할 수 있을 것이라 여겨져 많은 연구가 진행돼 왔다. 본 연구에서는 이러한 MoS2를 대면적으로 얻기 위한 방법의 하나인 chemical vapor deposition (CVD) method를 이용하여 대면적 MoS2 박막을 성장하여 다양한 application에 적용해보려 한다. 이미 MoS2의 높은 가능성을 알아본 많은 연구진에 의해 대면적 성장을 위한 여러 연구가 진행되었고, 가장 보편적인 방법으로 Mo source와 S를 직접 날려서 성장하는 방법이 많이 사용된다. 하지만 두 가지 source를 동시에 날려주는 방법은 성장 시 변수가 많으므로, 본 실험에서는 Mo source를 SiO2/si substrate 위에 코팅하는 방법으로 성장 시에 Mo source를 날리는 데에서 오는 변수를 줄여 실험은 진행하였다. 이를 통해 대면적 MoS2를 성장했고, SiO2/si substrate 뿐 아니라 quartz substrate를 이용하여 성장 특성 및 raman을 통하여 물질 특성을 비교하여 보았다. |
| 저자 | 유우종, 권으뜸, 이경찬 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | <P>MoS<SUB>2</SUB>; coating; Chemical vapor deposition</P> |
