| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | W source 코팅을 통한 대면적 WSe2 성장 |
| 초록 | W source 코팅을 통한 대면적 WSe2 성장 이영상, 유우종† 성균관대학교 전자전기공학부 ([email protected]†) 2차원 평면 형태의 구조를 가진 그래핀은 무수히 많은 장점들을 가지고 있으나 band gap이 없기 때문에 실제 반도체 소자로 활용하는데 어려움이 많다는 것이다. 이런 약점들을 보안하기 위해 전이금속과 칼고겐 금속의 화합물인 Transition Metal dichalcogenides(TMDs)물질이 최근 각광을 받고있으며, 이 TMDs 물질 중 Mono-Layer WSe2는 유연성이 좋고 투과율 또한 매우 좋으며 band gap이 존재하지 않는 그래핀에 반해 적당한 크기의 direct band gap을 가지고 있어 optoelectoics 와 photonics에 다양한 응용 가능성이 있다. 따라서 최근 quality가 좋은 TMDs를 얻기 위한 다양한 방법들이 연구 되고 있는데, 우리는 가장 대중적인 chemical vapor deposition(CVD) method를 이용하여 WSe2를 합성하려고 한다. 이러한 CVD method에는 주로 W source와 Se를 직접 날려서 합성하는 방법이 가장 대중적으로 성장시에 고려해야할 변수들이 많은 편이다. 하지만 이 실험에서는 W source를 substrate에 직접 코팅을 하여 성장하는 방법으로 성장시에 고려할 변수를 줄여 성장 조건을 보다 간단히 하였다. 또한 solution coating을 이용하여 W source 농도를 편하게 조절할 수 있어, 코팅한 W source의 농도 조절에 따라 W source 변화와 성장 추이 변화를 같이 보았으며, raman 등의 장비를 이용하여 물질 특정을 확인하였으며, 최종적으로 대면적 mono-layer 성장을 통해, 다양한 소자 application에 활용하려 한다. Keywords: wse2, chemical vapor deposition, Coating |
| 저자 | 이영상, 유우종 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | <P>WSe2; Chemical vapor deposition; Coating</P> |
