| 초록 |
최근 유연 디스플레이를 탑재한 스마트 전자 기기들이 등장하면서, 기술의 핵심 능동 소자인 유/무기 박막 트랜지스터가 널리 연구되고 있다. 특히 유연 기판 위에 용액 및 저온 공정으로 고유전율의 게이트 절연막을 형성하고자 하는 기술이 주목 받고 있으며, 이러한 게이트 절연막과 반도체 소재와의 좋은 계면 접합은 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키는 중요한 요소로 작용한다. 본 연구에서는 전기적 특성은 좋으나 유연성이 부족한 기존의 무기계 소재의 단점을 보완하기 위하여 지르코늄 전구체에 실록산계 고분자를 첨가하여 유/무기 복합 게이트 절연막을 제조하였다. 250 oC에서 200 nm의 두께로 제작된 유/무기 복합 게이트 절연막은 10 이상의 높은 유전 상수와 500 pF/mm2 이상의 높은 정전 용량을 나타내었다. 이를 이용하여 250 oC에서 제조한 IZO 박막 트랜지스터는 10 V 미만의 낮은 전압에서 점멸비 4.98E+05, 문턱전압 3.64 V 그리고 이동도가 9.24 cm2/V•s로 나타냄을 확인하였다. 저온 및 용액 공정으로 유연 기판에 응용 가능한 유/무기 복합 게이트 절연막 제조를 통해 인쇄 공정을 통한 유연 디스플레이에 적용이 가능함을 제시하였다. |
