| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/26 ~ 04/27, 강원대학교) |
| 권호 | 8권 1호, p.2117 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | MHVPE(Modified Hydride Vapor Phase Epitaxy)법을 이용한 GaN 성장에서의 Black Deposit에 대한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 MHVPE(Modified Hidride Vapor Phase Epitaxy)를 이용한 GaN 증착 실험에서 GaCl 튜브내에 반응가스의 소모를 일으키고 막의 quality를 저하시키는 black deposit (BD)에 관한 연구를 수행하였다. GaCl 출구온도가 550 ℃ 이상의 온도에서 BD가 관찰되었으며 550~650 ℃가 BD의 최적 생성조건이었다. SEM분석으로부터 BD는 가늘고 긴 튜브 모양을 하고 있음을 확인하였으며 EPMA, TEM, Raman 분석으로부터 성장된 BD는 gallium과 carbon으로 이루어짐을 확인하였다. |
| 저자 | 도창주, 여석기, 윤덕선, 한승훈, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | MHVPE; Black Deposit; TMGa; Raman |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
