| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 |
15권 2호 |
| 발표분야 |
A. Information Processing and Sensing(정보소재 및 센서) |
| 제목 |
직접방식 엑스선 검출기를 위한 BiI3 특성 연구 |
| 초록 |
최근 의료용 디지털 엑스선 장비는 질병 진단을 위해 널리 사용되고 있으며 기존에 사용되고 있는 간접방식의 단점들을 보완하기 위해 직접 방식의 엑스선 검출기가 도입되고 있다. a-Se을 이용한 직접 방식의 엑스선 검출기는 간접 방식의 검출기보다 효율이 뛰어난 장점이 있지만 높은 구동전압과 제작의 어려움이라는 단점을 가지고 있어 이의 보완이 필요한 시점이다. 이에 따라 본 연구에서는 a-Se을 대체 할 수 있는 엑스선 변환 물질을 개발함과 동시에 PIB방법의 제작법을 이용함으로서 복잡한 검출기 제작 공정 및 낮은 수율의 향상을 이루고자 한다. 본 연구에서 사용되어진 변환 물질은 순도 99.99%의 BiI3가 이용되었으며 3cm * 3cm의 크기와 200um의 두께를 가지는 변환 물질층이 제작되었다. 변환 물질의 상하부에는 Magnetron Sputtering system장비를 이용한 ITO 전극이 형성된다. 형성된 BiI3 엑스선 변환 물질의 특성 평가를 위해 구조적 분석과 전기적 분석이 이루어 졌다. SEM 측정을 통해 제작된 필름의 표면 및 단면적, 구성 성분을 관찰하였고, 전기적 분석을 위해서는 누설전류, 엑스선에 대한 민감도 및 잡음 대 신호비의 관찰이 이루어졌다. 실험 결과 BiI3는 1.6nA/㎠의 누설전류와 0.629nC/㎠의 민감도를 나타냈으며 이렇게 PIB방법을 이용해 제작된 X선 검출 물질은 PVD방법을 이용해 제작된 물질과 비슷하거나 더 나은 전기적 특성을 가지고 있었고 이는 제작 방법의 간소화 및 수율을 향상 시킬 수 있어 BiI3도 a-Se를 대체하기 위한 변환물질로 적합하다고 사료된다. |
| 저자 |
이상훈, 김민우, 김영빈, 윤민석, 김윤석, 남상희
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| 소속 |
인제대 |
| 키워드 |
x-ray detector; photoconductor; BiI3
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