| 초록 |
최근 유력한 차세대 광원으로 떠오르고 있는 조명 소자인 형광체 변환 발광 다이오드(phosphor converted-light emitting diode, pc-LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기에너지를 형광체 고유의 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로 에너지 효율이 높고, 저전력/장수명 특성을 가진다. 현재의 pc-LED 소자용 형광체 개발 방향은 휘도 및 색순도를 고려한 기본적인 고효율화 뿐만 아니라 열 안정성, 넓은 색재현 범위에 초점이 맞추어져 있으며, 이러한 조건을 만족시키는 대표적인 형광체 조성물로는 산질화물 또는, 질화물계 형광체가 있다. 하지만 이러한 질화물 기반 형광체들은 고온 및 고압 등의 합성조건이 요구되어 공정 단가가 높아지는 문제가 대두되어 상압, 저온 합성 등의 효율적인 공정조건이 요구된다. 이에 따른 효율적 방법으로서 기존 원료 화합물의 혼합 및 열처리를 이용한 일반적 고상반응법이 아닌 실리케이트 화합물을 먼저 합성한 후 carbothermal reduction and nitridation (CRN) 공정을 접목시키는 방법으로 합성의 용이함을 확인할 수 있었다. 본 연구에서는 BaO-SiO2-Si3N4의 삼성분계에서 합성 가능한 다양한 실리케이트 및 산질화물계 형광체에 대한 특성을 고찰하고, 그 중에서도 Eu2+ 활성원소를 이용한 녹색발광 형광체인 Ba3Si6O9N4의 발광 특성을 조사하였다. |
