| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (10/25 ~ 10/27, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 23권 2호, p.2028 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 용액공정 유·무기 페로브스카이트를 이용한이미지 센서 제작 |
| 초록 | 최근, 유·무기 페로브스카이트를 이용한 광소자에 대한 관심이 높아지면서 이를 상용화하려는 시도가 이어졌다. 그러나 유·무기 페로브스카이트 광소자를 상용화하기에는 안정성, 대면적 공정 등 해결해야 할 문제들이 많았고, 그 중 하나가 이미지 센서 제작을 위한 고선명도·고해상도의 패터닝 기술이었다. 유·무기 페로브스카이트는 물질 특성상 포토리소그래피 공정에 사용되는 용액에 취약하여 전기도금을 이용해 금속의 특정 위치에만 유·무기 페로브스카이트 결정을 성장시키는 연구가 기존에 진행되었다. 금속 위에서만 결정을 성장시킬 수 있기 때문에 포토다이오드가 아닌 포토레지스터만 제작할 수 있는 한계가 있었다. 포토레지스터는 높은 검출능과 반응도를 갖기 위해서 높은 구동전압이 필요하여, 이미지 센서와 같은 고집적 회로에서는 발열의 문제가 발생할 수 있기 때문에 실질적인 이미지 센서를 제작하기 위해서는 페로브스카이트 포토다이오드를 개발할 수 있는 공정이 필수적이었다. 본 연구는 정공/전자수송층의 표면 에너지를 조절하여 특정 위치에만 유·무기 페로브스카이트를 도포하는 기술을 개발하여, 상용화된 두꺼운 실리콘 포토다이오드와 비슷한 성능을 갖는 페로브스카이트 포토다이오드를 제작하였고, 이를 실리콘 블로킹다이오드와의 집적하여 페로브스카이트 이미지 센서를 제작하였다. |
| 저자 | 이웅찬, 김대형 |
| 소속 | 서울대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
