| 초록 |
NVM은 ONO, 혹은 NNO로 구성된 blocking layer, charge storage layer, tunneling layer 등이 일반적인 구조이다. 본 연구에서는 기존에 사용되던 charge storage layer인 SiNx 대신에 a-Si:H 를 사용한 OSO구조의 NVM을 제작 및 평가하였다. 본 연구에서는 최적의 전하 저장 층 조건을 알기 위하여 가스비에 raman 및 bandgap 측정, C-V 통하여 트랩된 flatband 전압의 shift 등을 분석하였다. 또한 OSO 구조의 두께에 있어 MIS 결과와 poly-Si 상에 실제 제작된 NVM 소자의 switching 특성을 논의하였다. 실험 결과는 SiO2/a-Si:H 와 a-Si:H/SiOxNy 계면의 결함 사이트에 전하의 저장되며, bandgap이 작아 트랩 또는 band edge에 위치한 전하들이 높은 bandgap을 가지는 blocking 또는 tunneling layer를 통하여 빠져 나오기 어려운 특성을 보였으며 bandgap이 작아 band edge 저장 가능하며, SiNx 와 마찬가지로 a-Si:H 내 트랩에 저장이 가능하였다. |
