| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | H. Advanced Coating Techniques(첨단 코팅 기술) |
| 제목 | PES 기판 위에 수열 합성법을 이용하여 성장된 ZnO nanostructure의 특성연구 |
| 초록 | ZnO는 상온에서 60 meV의 큰 exciton binding energy를 가지고(GaN: 24 mev), 3.37 eV의 큰 energy band gap을 가질 뿐 아니라 화학적 열적 안정성이 뛰어나기 때문에 각광받고 있는 투명 반도체 물질이다. 수열합성법은 다양한 ZnO 성장법과 비교해 보았을 때 장치가 저렴하고 간단하며 저온에서 공정이 진행되는 이점을 가진 성장법이다. 본 연구에서는 수열합성법을 이용하여 Polyethersulfone (PES) 기판 위에 ZnO nano-structure를 성장시켜 보았다. PES 기판은 두께가 얇고 투명하며, 취성에 강한 유연한 재질로써 투명반도체 소자의 기판으로 많은 관심을 받고 있다. 그러나 200oC 이상의 고온의 공정에서는 열적 변형이 일어나므로 사용하기 힘든 단점을 가졌다. 이러한 이유로 PES 기판은 저온공정을 필요로 한다. PES는 비정질 구조이고 ZnO는 wurtzite 구조를 가지기 때문에 구조적 차이로 인해 PES기판 위에 성장된 ZnO의 결정성이 좋지 않다. 따라서 본 연구에서는 Atomic Layer Deposition(ALD) 방법을 이용하여 ZnO-Buffer layer 삽입하였고, 그 결과 성장된 ZnO 나노 구조의 nucleation density가 크게 증가하고 구조적 특성이 향상됨을 확인 할 수 있었다. 수열합성법에 의해 성장된 ZnO의 나노 구조의 특성은 SEM (scanning electron microscope)과 XRD (X-ray diffraction) 측정 등을 이용해서 분석하였다. |
| 저자 | 박주현, 류혁현, 신창미, 허주회, 이재엽, 이태민, Han Qi Fei |
| 소속 | 인제대 |
| 키워드 | ZnO; PES; 수열합성법; 나노 구조; buffer layer |
