| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 제 15회 신소재 심포지엄 - 조명용 백색 LED기술 |
| 제목 | 백색 LED용 고품위 단결정 기판 기술 동향 |
| 초록 | LED를 이용한 조명 소자 연구는 GaN 재료를 중심으로 진행되고 있는데 지금까지 많은 연구로 이미 상용화가 이루어졌으나 고품위 GaN 단결정 기판의 제조가 어려워 사파이어를 기판으로 사용하고 있으며, 이 경우 소자내 결함밀도가 높아 조명용의 고효율 LED제조에 문제가 있다. GaN LED가 백색 조명에 응용되려면 200 lm/W 정도의 고효율이 필요하고 이 정도의 효율을 달성하기 위해서는 전위 형성을 억제하는 것이 가장 중요하다. 전위 형성을 억제하는 가장 좋은 방법은 격자 부정합이 작은 기판을 사용하는 것이 필수적이며 GaN 기판, GaN/SiC 기판, ZnO 기판 등이 후보 재료이다. 특히 GaN 단결정 기판은 격자 부정합이 0%이므로 이상적인 기판이지만 이 재료는 상압에서 melt없이 승화하기 때문에 단결정 성장이 매우 어렵다. 현재까지 알려진 방법으로는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy), ammonothermal, high pressure Na flux법이있는데 본 발표에서는 이 기술들의 최근 연구 동향과 GaN/SiC 기판, ZnO 기판의 제조에 대하여 간략하게 논하고 앞으로의 전망을 살펴보고자 한다. |
| 저자 | 이영국 |
| 소속 | 한국화학(연) |
| 키워드 | GaN; single crystal; substrate; ammonothermal |
