| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 | 27권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | AZO 박막의 기판 온도에 따른 증착 두께 및 전기적ㆍ구조적ㆍ광학적 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 DC 스퍼터링을 이용하여 증착한 AZO 박막의 기판 온도에 따른 증착 두께와 전기적ㆍ구조적ㆍ광학적 특성을 평가하였다. Si 기판(p-type)을 불산 용액에 1분간 담궈 자연 산화막을 제거한 뒤 glass 기판과 함께 아세톤, 에탄올, di water로 각 10분간 초음파 세척한 후에 DC Sputter에 로딩 하였다. 그 후 스퍼터링 파워는 200 W로 고정하였고, Ar 가스를 50 sccm 주입하여 공정 압력을 5.0 × 10-3 torr로 유지하였다. 그 후 기판온도를 100 °C ~ 400 °C의 5가지 온도범위에서 증착을 진행하였다. 모든 박막의 증착시간은 60 min으로 고정하였다. 박막의 두께는 Alpha-Step을 사용하여 측정하였고, 박막의 특성을 분석하기 위해 X선 회절 (XRD), 홀 효과, 광루미네센스(PL), 광투과도를 측정하여 조사하였다. Alpha-Step을 통해 기판온도에 따라 증착된 AZO 박막의 두께를 측정하였다. 박막의 두께는 기판온도가 증가함에 따라 상온 175nm, 100°C 193nm로 증가하였으며, 온도가 증가함에 따라 200°C 183nm, 300°C 156nm, 400°C 48nm로 두께가 감소하였다. XRD 분석을 통해 모든 AZO 박막은 c-축 (002)면 방향으로 우선 배향되어 성장되었으며, 기판온도가 상온에서 300 °C까지 증가함에 따라 XRD 회절선의 피크 강도가 증가하고 기판 온도가 400 °C 에서는 X-선 회절 피크 강도가 감소하였다. |
| 저자 | 임규민, 유지수, 김찬영, 임상철, 이택영, 나사균 |
| 소속 | 신소재공학과 반도체소재부품장비센터 |
| 키워드 | AZO; Dc Sputter; XRD; Hall Effect; Photoluminesecne; Trasmittance |
