| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Si-wafer의 wet etching시 표면특성변화에 미치는 etching 속도의 영향 |
| 초록 | 전자산업의 소형화와 경량화 추세에 맞추어 집적 칩이나 패키지를 적층하는 삼차원 직접화 기술 개발이 차세대 핵심기술로 중요시 되고 있다. 특히 모바일이나 테블릿 PC 시장에서는 칩의 소형화와 더불어 경량화된 제품들이 요구된다. 이와 같이 삼차원 직접화 기술의 연구개발에 따라 수십 ㎛ 이하의 초박막 실리콘 웨이퍼가 요구되고 있는 실정이다. 반도체 실리콘 웨이퍼를 평면 연마하는 기술로는 mechanical grinding, chemical mechanical polishing, wet etching, dry chemical etching등이 있으며, 현재까지 CMP(Chemical Mechanical Polishing,화학적 기계적 연마)가 독보적인 기술이다. 그러나 CMP는 한 장씩 처리되어짐에 따라 느린 처리속도로 생산성이 저하된다는 단점이 있다. 따라서 다량의 실리콘 웨이퍼를 spray down 방식을 이용하여 chip이 적층된 실리콘 웨이퍼를 화학적 방법으로 편측 식각하여 얇게 만드는 연구가 진행되고 있다. 화학적 방법인 spray down방식으로 식각을 하게 되면 대량 생산이 가능하고, 표면거칠기가 높은 초박막 웨이퍼를 제조할 수 있는 장점이 있다. 본 연구는 기존의 etchant에 첨가제를 첨가하여 식각하였으며, 첨가량이 증가함에 따라 에칭 속도가 증가하는 경향을 보였다. 반면, 표면 거칠기는 감소 후 증가 하였다. 따라서 첨가량에 따른 Si-wafer의 에칭 후 표면 거칠기 변화, 표면 형상 변화 등 표면 특성변화를 관찰하였으며, 첨가량이 Si-wafer의 에칭 속도에 미치는 영향에 대하여 고찰하였다. |
| 저자 | 김준우1, 서승국2, 김범준2, 이현용2, 이윤관2, 이상현1, 고성우1, 노재승2 |
| 소속 | 1(주)이코니, 2금오공과대 |
| 키워드 | wet etching; 표면거칠기; 에칭속도 |
