화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 1999년 가을 (10/22 ~ 10/23, 경남대학교)
권호 5권 2호, p.4529
발표분야 재료
제목 고집적 메모리 소자를 위한 Pt 전극의 Etching 특성
초록 최근 유전체 재료의 Dynamic Ramdom Access Memory(DRAM) 및 FerroelectricRamdom Access Memory(FRAM) device에 대한 응용이 활발히 진행되고 있는 가운데,device 크기의 감소와 메모리 밀도의 증가 필요성으로 인하여 고정전용량을 가지는ferroelectric 재료 및 이에 사용되는 전극의 패턴을 위한 식각공정에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 현재 가장 활발한 응용이 고려되고 있는 Pt를 high densityplasma를 이용하는 Inductively Coupled Plasma(ICP) RIE를 사용하고 Cl2/Ar, Cl2/SiCl4/Argas chemistry를 선택하여 식각속도, etching profile 등을 조사하여 최적의 식각가스를 찾고자 하였다.
저자 임동규, 김종성, 정지원
소속 경원대
키워드 Pt; Etching; ICP; RIE
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