| 초록 |
Magnetic random access memory (MRAM)는 차세대 비휘발성 메모리 소자로 magnetic tunneling junction (MTJ)의 tunneling magneto resistive로 정보를 저장한다. 이러한 MTJ의 식각에 할로겐 가스나 C, H, O-based gases을 이용하고 있으나 휘발성이 낮은 식각 부산물의 redeposition, 산화막 형성 등의 문제로 소자 성능을 저하시키는 문제가 발생한다. 따라서 식각 profile을 향상시키며 화학적, 물리적 손상을 줄이는 것이 중요하다. 본 연구에서는 H2/NH3 가스를 이용하여 Reactive Ion Beam Etch (RIBE)로 CoFeB, CoPt, TiN, W 등의 식각 특성과 magnetic materials의 etch mechanism을 확인하였다. 식각된 두께를 확인하기 위해 Field-emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM)을 사용하였고, 표면의 거칠기 확인을 위해 Atomic force microscopy (AFM), 표면의 화학적 손상 확인을 위해 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 분석하였다. |
