| 초록 |
청색 인광 OLED는 조명 및 디스플레이 응용 분야에 필수적으로 사용되는 핵심 소자이다. 현재까지 청색 인광소자는 빛의 삼원색인 R,G,B 중 효율이나 색도 면에서 그 개발 수준이 현저히 떨어지고 있다. 본 연구에서는 비교적 큰 삼중항 에너지를 갖는 mCP를 발광 호스트로 사용하고, FCNIr(pic)을 인광 도펀트로 사용하여 청색 PhOLED를 제작하였다. 소자제작에서 정공주입층으로는 DNTPD를, 정공전달층으로는 TAPC를 사용하였으며, 전자주입층으로 3TPYMB, Bphen을 사용하여 전자주입층 두께에 따른 소자의 전계발광 특성을 조사하였다. 실험방법으로는 유리기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide)의 양극 전극을 형성하고, 이 후에 O2/Ar=2/1.8mTorr, 150W 의 조건으로 2분간 플라즈마 처리를 하였다. 유기박막 형성 공정에서는 정공주입 및 정공수송층으로 400Å 뚜께의 DNTPD 와 300Å 두께의 mCP를 호스트로 하고 FCNIr(pic)의 도핑율이 10%인 발광층을 증착하였다. 제작된 소자의 최대 전류효율은 21.5cd/A 로 나타났다. 전계발광(EL) 스펙트럼과 CIE 측정 결과, 457 nm 의 최대 peak 파장을 보였으며 색좌표는 (0.14,0.21)으로 나타났다. 본 연구는 지식경제부 지방기술혁신사업 (RTI 04-01-02) 지원으로 수행되었습니다. |
