| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 | 원자층분석법(ALD)을 이용한 MoO3 증착 및 박막특성 분석 |
| 초록 | MoOx 박막을 기반으로 하는 실리콘 태양전지에서 MoOx가 다른 금속 보다 더 높은 일함수를 가짐으로써 도핑 과정 없이 전자와 홀을 분해 할 수 있는 새로운 유형의 실리콘 태양전지이다. MoOx 박막은 실리콘의 홀을 선택적으로 추출하지만 전자들을 차단하여 매우 효율적으로 추출 할 수 있는 전하선택접촉 박막이 효율향상 기술에 있어 높은 평가를 받고 있다. ALD는 CVD대비 두께 및 조성조절이 용이하고 박막두께 균일도 확보가 쉬운 장점을 가지기 때문에 ALD를 이용하여 정밀하게 두께를 조절하고 얇은 두께의 박막을 증착하여 초박막 두께 및 균일도 제어 기술 개발을 하고자 한다. 본 연구에서는 태양전지 후면에서 정공 전하 선택 층 ALD 공정을 확보하기 위해 ALD를 이용하여 실리콘 웨이퍼위에 MoO3박막을 증착하여 증착온도에 따른 박막의 두께를 관측하였다. MoO3 증착온도 범위는 100~180℃ 에서 진행되었으며 다양한 증착 조건에서 박막 균일도를 관찰하였다. MoO3 박막의 표면 및 두께 균일도를 SEM을 이용하여 관찰하였고, XPS 측정을 통하여 화학적 결합을 측정 하였다. |
| 저자 | 정민지, 장효식 |
| 소속 | 충남대 |
| 키워드 | ALD; MoOx; Carrier selective contact |
