| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2003년 가을 (11/21 ~ 11/22, 연세대학교) |
| 권호 |
9권 2호 |
| 발표분야 |
기타 |
| 제목 |
DV-Xα 분자궤도법을 이용한 CuO 및 Cu2O에서의 화학 결합 및 전자상태 |
| 초록 |
최근, Cu기판 위에 YBaCuO7-x 초전도체를 입혀 초전도 선재를 제작하려는 연구가 이루어지고 있으며 이 과정에서 CuO와 Cu2O가 생성된다는 보고가 있다. CuO 및 Cu2O의 생성은 초전도 선재의 전기전도적 특성 및 기계적 특성에 상당한 영향을 끼칠 수 있다. 따라서 CuO와 Cu2O에 대한 연구가 필요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 DV-Xα 분자궤도법을 통해 CuO와 Cu2O에 대한 (Cu29O58)58-, (Cu52O19)14+ 모델을 이용하여 전자상태계산을 하였다. CuO, Cu2O의 valence orbital level 구조 및 DOS (Density of State)를 통해 Cu원자와 O원자간의 공유결합 세기를 측정하였으며 CuO, Cu2O 서로간의 차이점을 분석하였다. |
| 저자 |
김영하1, 김양수1, 한영희2, 한상철2, 성태현2, 노광수1
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| 소속 |
1한국과학기술원, 2한국전력공사 전력(연) |
| 키워드 |
DV-Xα; cuprous; cupric oxide; electronic state
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| E-Mail |
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