| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 |
14권 1호 |
| 발표분야 |
전자재료 |
| 제목 |
DV-Xα분자궤도법을 이용한 vanadium disulfide와 vanadium dioxide의 전자상태 계산 |
| 초록 |
천이금속 다이칼코겐 TX2는 천이금속 T(Ⅳ,Ⅴ and Ⅵ족 원소)와 칼코겐금속 X(S, Se and Te)를 조합하여 만들어지는 층상화합물이다. 천이금속 다이칼코겐화합물의 결정구조는 천이금속의 종류 및 칼코겐원소의 종류에 따라 T형과 H형의 두 가지 종류로 존재한다. 이와 같은 층상 화합물에서는 층간결합이 약한 van der Waals 힘에 의해 여러 가지 원자 및 분자의 침입이 가능하며 이와 같은 특성에 따라 충․방전이 가능한 2차전지의 전극재료로서 이론적․실험적 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 T형 구조를 갖는 vanadium disulfide와 vanadium을 같은 Ⅵ족 원소인 oxygen으로 치환하여 유화물(sulfide)과 산화물(oxide)의 전자상태 계산을 통해 그 차이점을 규명하였다. VS2와 VO2의 전자상태 및 화학결합의 결과는 Discrete Variational(DV)-Xα 분자궤도법을 이용하여 계산하였다. Bond overlap population을 통해 각 원자 간의 공유결합성 차이를 규명하였다. |
| 저자 |
정현철, 백민숙, 원대희, 윤동주, 김병일
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| 소속 |
순천대 |
| 키워드 |
DV-Xa; Bop; vanadium oxide
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