화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교)
권호 12권 2호
발표분야 전자 재료
제목 양전자 소멸 방법을 이용한 Gd2O2S:Tb 희토류 증감지 나노 크기의 결함 측정
초록 동시계수 양전자 소멸 분광법으로 Gd2O2S:Tb 시료에서 원자 크기 정도 결함의 특성을 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸에서 발생하는 511 KeV 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수를 사용하였다. 결함의 정도를 측정하였으며, 시료에 다양한 에너지의 X-선을 조사한 S-변수 값은 0.5581에서 0.5588이었다. 그리고 양전자 수명 측정 방법을 개발하였고, 이 방법으로 측정한 결과 조사한 X-선 에너지가 크면 결함의 밀도가 증가한다는 것을 얻었다
저자 장수민1, 이종용1, 권준현2, 김흥회3
소속 1한남대, 2Nuclear Material Technology Division, 3KAERI
키워드 Gd2O2S:Tb; 양전자 소멸 방법
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