| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2018년 봄 (04/04 ~ 04/06, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
43권 1호 |
| 발표분야 |
분자전자 부문위원회 I |
| 제목 |
Fabrication of Low-power Bipolar OTFT and Inverter with Solid-State Electrolyte Gated Insulator |
| 초록 |
본 연구에서는 이온 분극으로 인한 매우 높은 커패시턴스를 가지는 고체 전해질 게이트인 SEGI (Solid-state Electrolyte Gated Insulator)를 이용한 양극성 트랜지스터와 인버터를 제작 하였다. 기존의 유기물 기반 반도체에 이용되는 고분자 절연물질에 비하여 SEGI 는 커패시턴스가 약 천배 이상이며 결과적으로 트랜지스터에 적용될 경우 매우 낮은 전압에서 높은 이동도를 유도 시킨다. 제작된 트랜지스터는 N-type, P-type 모두 Gate Voltage 가 각각 2.5V, - 2.5V 이하에서 1 cm2/V·S이상의 높은 이동도가 발현되었으며 인버터 소자의 특성에 따라 디바이스 적용 방안에 대하여 논의한다. |
| 저자 |
조일영, 백강준
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| 소속 |
부경대 |
| 키워드 |
Organic thin film transistor.Polymer semiconductor |
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