| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | 대기압 레이저 화학기상증착법으로 제조된 박막트랜지스터의 전극 평가 |
| 초록 | 레이저 화학기상증착법(Laser Chemical Vapor Deposition)은 집속된 레이저 빔을 이용하여 패터닝 없이 원하는 물질을 증착할 수 있는 장점을 가지고 있다. 일반적으로 광분해 및 열분해 반응을 이용하여 원하는 국소적인 부분의 기상화학반응 및 레이저 노출 시간을 제어하며, 원하는 형태 및 두께의 박막을 제조한다. 본 연구에서는 이러한 대기압 레이저 화학기상증착법을 이용하여 금속박막을 패터닝 없이 하부 게이트 구조 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)의 소스/드레인 전극으로 적용시켰다. 전극물질로는 텅스텐(W), 코발트(Co)를 대기압 레이저 화학기상증착법으로 증착하였으며, 레이저 에너지 변화 및 반응가스 유량, 스캔스피드 등의 성장인자에 따른 금속박막의 전도도 및 접촉저항 등의 전기적 특성을 평가하였다. 또한 박막트랜지스터 소자에서 금속전극과 반도체 층 사이의 계면을 분석하여 낮은 접촉저항 및 결함이 없는 공정조건을 도출하였다. 이러한 전기적 특성을 갖는 금속박막을 패터닝 공정 없이 하단 게이트 박막트랜지스터의 소스/드레인으로 적용시켜 제작하였고 박막트랜지스터의 전기적 특성 및 전극으로서의 가능성에 대해 평가하였다. |
| 저자 | 정경훈1, 이지원1, 변인재2, 정도순2, 이재갑1 |
| 소속 | 1국민대, 2참엔지니어링 |
| 키워드 | Laser Chemical Vapor Deposition; Thin Film Transistor; Patterning; Photo-decomposition; Pyrolytic Reaction |
