| 초록 |
Polyimide(PI)는 주쇄에 방향족 imide기와 벤젠고리로 이루어진 고분자 재료로 우수한 기계적 성질, 고온 특성 및 내화학성을 가지고 있다. 또한, 낮은 흡습성과 열안정성 및 낮은 유전상수를 지니고 있어 반도체칩의 절연막, 고성능 접착제 및 코팅 재료로 사용되고 있다. 그러나 PI는 imide환이 형성되면 우수한 물성은 보이지만, 표면의 극성이 감소되어 다른 고분자 물질이나, 세라믹, 금속재료들과의 접착성이 현저히 떨어진다. 이러한 결점을 개선하기 위하여 PI의 표면 개질에 대한 연구가 선진국에서 활발히 진행되고 있는 실정이다. 표면 개질 방법으로는 건식법과 습식법이 있는데, 암모니아 처리나 플라즈마 처리가 건식법에 해당되며, 알카리 금속 hydroxide 또는 amine에 의한 친핵성 반응으로 imide 환을 여는 방법이 습식법에 해당된다. 본 연구에서는 KOH, ethylene diamine, hydrazine, hydroxyl amine 등을 이용한 습식법으로 PI film을 개질하고, 니켈도금과 구리도금을 거쳐 PI film과 도금층사이의 밀착력의 변화를 고찰하였다. |
