| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | Fabrication of p-SnO/n-SnO2 Junction Thin Film Diode by Sputtering |
| 초록 | SnO2는 3.6eV 밴드 갭 에너지를 갖는 n형 반도체이며, 투명전극, 태양전지, 가스 센서 등으로 활발히 연구 된 반면, p형 SnO 박막은 준안정 상태로 연구가 부진하였다. 하지만 최근 기존에 사용되어 온 p형 산화물 반도체인 doped-SnO2, ZnO, NiO 박막보다 SnO 박막이 전기전도도가 좋고, n형 SnO2와의 공정이 용이하다는 장점이 있다. 이에 본 연구에서는 글라스 위에 스퍼터링 방법을 이용하여, p형 SnO 박막과 n형 SnO2을 각각 증착 후 박막의 주사전자현미경(SEM), X-선 회전분석기(XRD), 라만분광기(Raman Spectroscopy)을 통하여 박막의 결정 구조와 미세 구조 관찰하였고, UV-Vis 분광기를 이용하여 광학 특성을 측정하였다. p-SnO/n-SnO2 구조의 단종접합 pn 다이오드를 만들어 current-voltage 특성을 연구하였다. |
| 저자 | 민형섭1, 김상식2, 이전국1 |
| 소속 | 1한국과학기술(연), 2고려대 |
| 키워드 | SnO<SUB>2</SUB>; SnO; pn junction diode |
