| 학회 |
한국화학공학회 |
| 학술대회 |
2010년 가을 (10/21 ~ 10/22, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
16권 2호, p.2081 |
| 발표분야 |
재료 |
| 제목 |
Effect of CH2F2 addition on angular dependence of SiO2 etching in a C4F6/O2/Ar plasma |
| 초록 |
불화탄소 플라즈마는 Si에 대한 SiO2의 높은 식각 선택비가 요구되는 via 또는 콘택홀 식각공정에서 주로 사용되고 있다. 이러한 식각 공정에서 가장 중요한 요소 중 하나는 SiO2의 식각 프로파일을 예측하여 이를 정밀하게 제어하는 것이다. 그러나 매우 미세한 패턴의 SiO2 식각에서 이온의 입사 각도에 따라 식각 속도가 영향을 받기 때문에 정확한 프로파일 예측이 어려운 것이 현실이다. 본 연구에서는 불화탄소 플라즈마를 이용하여 SiO2를 식각할 때 입사이온의 각도 분포가 식각속도에 미치는 영향 및 CH2F2 첨가효과를 알아보았다. 입사이온의 각도를 조절하기 위해서 파라데이 상자를 이용하였으며 이온의 입사 각도는 0°에서 90°까지 다양한 각도를 갖는 시편홀더를 이용하여 조절하였다. SiO2 식각의 각도의존성 결과는 SiO2 표면에 형성된 정상상태 불화탄소 고분자 박막의 특성과 CH2F2 ratio에 따른 고분자 전구체의 증착 특성을 바탕으로 설명하였다. |
| 저자 |
조성운, 김창구
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| 소속 |
아주대 |
| 키워드 |
angular dependence; plasma; etching; fluorocarbon film; Faraday cage
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| 원문파일 |
초록 보기 |
