| 초록 |
Boron 이온 주입된 단결정 Si의 경우 reverse annealing 현상이 잘 알려 있으며, reverse annealing이 일어나는 온도 영역은 500℃~600℃로 보고되어 있다. 이번 연구에서 우리는 P+/B+ 이온 샤워 도핑된 Poly-Si의 reverse annealing 거동을 관찰 하였다. ELA 방법으로 결정화된 500Å PECVD poly-Si 기판에 PH3/H2와 B2H6/H2를 source gas로 사용하여 이온 샤워 도핑법으로 boron은 1kV ~ 6kV, phosphorous는 1kV ~ 15kV 사이의 다양한 가속전압으로 1분간 각각 도핑 하였다. 이온 주입된 시편은 활성화 열처리를 위해 400℃부터 650℃까지 30분간 질소 분위기에서 관상로 열처리를 실시하였다. 각각의 이온주입 및 열처리 조건에 따른 도펀트 활성화 거동을 4-point-probe 및 Hall 분석을 통하여 비교 분석 하였다. Hall measurements 결과에 따르면 phosphorous로 이온 주입된 경우 550℃부터 reverse annealing이 시작됨을 관찰 할 수 있었으며, boron의 경우에는 400℃부터 이미 reverse annealing이 시작되고 있음을 관찰 할 수 있었다. |
