| 초록 |
최근 전자소자류 제조에 있어서 기존의 노광, 식각(photo-lithography)기술을 사용하는 방법에서 벗어난 새로운 제조공정에 대한 필요성이 대두되고 있다. 그 중 Plasma를 이용한 소재의 표면 텍스쳐링 기술은 표면에 반응기를 유도하여 기능을 부여 하는 기술로, 태양전지 및 반도체 분야에서 많은 연구가 진행 중이다. 본 연구에서는 기존의 Reactive Ion Etching 표면처리를 이용하여 Glass와 Photoresist 표면에 선택적으로 친/소수성을 부여하고, 형성된 두 표면간의 물성차이를 이용하여, 기존의 노광 및 식각 등 일련의 공정을 대체하는 additive type의 패터닝 공정에 대해서 연구하였다. 실험 방법은 Photo-lithography 공정을 통해 3.7um의 두께를 갖는 40um의 음각 패턴을 형성 후 RIE 표면처리를 수행하였다. Glass의 경우 텍스쳐링 효과에 의해 높은 표면에너지를 갖는 친수성표면과 동시에 PR은 cross-linking 의한 소수성 표면을 형성하게 된다. 또한 RIE 표면처리된 기판위에 Ag ink 또는 Ag paste를 도포하여 filling 후 표면에 대한 전극 제거공정을 거치는 Additive 패터닝 공정을 통하여 마이크로 사이즈의 선폭을 갖는 미세전극을 형성하였다. 이에 따라 선택적인 친/수소성 표면처리에 따른 표면의 물리적 특성 및 패턴 형상을 고찰하였다. |
