| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 |
20권 2호 |
| 발표분야 |
C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 |
Tunnel oxide층 적용된 고효율 실리콘 태양전지 연구 |
| 초록 |
최근 보고된 고효율 결정질 실리콘 태양전지 기술개발은 누설전류(recombination or leakage current, J0)를 낮추데 초점을 두고 있다. 또한, 양산화를 고려한 대면적화와 공정 비용 절감 등을 통한 저가화가 동반된 고효율 기술 개발을 목표로 하고 있다. 이에 본 연구는 저가화에 초점을 둔 비정질 실리콘 박막의 고상성장법을 이용한 새로운 에미터 형성 기술(Solid-phase Epitaxy Emitter, SEE)에 tunnel oxide (SiOx)층을 적용한 tunnel junction 구조와 관한 내용이다. 텍스쳐링된 실리콘 기판 위에 wet-chemical oxidation 방법을 통하여 1.5nm 이하의 tunnel oxide 층을 형성하였다. 비정질 실리콘 박막을 RF-PECVD (Radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition)로 증착한 후, 급속 열처리 공정 (Rapid Thermal Process, RTP)으로 상변화를 통해 에미터를 형성(SEE)하였다. 형성된 tunnel junction 구조의 특성을 확인하기 위하여 Quasi-Steady-State Photo Conductance (QSSPC) 등을 측정하였다. n-type 기판에서 수소 패시베이션 후, 740mV (implied Voc) 성능을 가지는 tunnel junction 구조를 확인하였다. |
| 저자 |
김현호1, 김수민1, 김영도1, 지광선2, 이해석1, 강윤묵1, 김동환1
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| 소속 |
1고려대, 2LG전자 |
| 키워드 |
Tunnel oxide(터널 옥사이드); Amorphous silicon(비정질 실리콘); Solid phase epitaxy(고상 성장법); Emitter(에미터); Silicon solar cells(실리콘 태양전지)
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