| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (11/27 ~ 11/28, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Stability study of p-type SnO thin film deposited by reactive rf sputtering |
| 초록 | 전도성이 높은 투명산화물 반도체는 전극, 보호막 코팅, 가스센서, 광소자, 디스플레이소자, 등 많은 응용분야에 적용되고 있다. 최근 TFT나 solder cell과 같은 투명소자에 대한 관심이 높아지고 있으며, 투명소자 적용을 위해선 안정적인 p-type 투명산화물 개발이 우선되어야 한다. 본 연구에서는 p-type 소자로서의 hole mobility가 충분하며 낮은 온도에서 제작 가능한 p-type tin oxide (SnO)에 대한 stability를 연구하였다. 약 200nm의 SnO 박막은 Sn target을 이용한 반응성 rf sputtering으로 제작하였으며, Si wafer 기판 위에 증착되었다. Si wafer 기판의 두께는 50~500um으로 기판 두께에 따른 박막 stability와 시간에 따른 stability를 고찰하였다. SnO 박막의 stability는 sheet resistance 측정과 XPS 측정으로 전기적 구조적 분석을 진행하였다. |
| 저자 | 김철, 김사라은경 |
| 소속 | 서울과학기술대 |
| 키워드 | Tin oxide; Sputtering; Stability; Reliability |
