| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 봄 (05/12 ~ 05/14, 광주 김대중컨벤션센터) |
| 권호 | 27권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 게이트 전극 형태가 반도체 성능에 미치는 영향에 관한 연구 |
| 초록 | 게이트 전극이 반도체 소자의 성능에 영향을 미치는 인자로는 일반적으로 알려진 게이트 유전체의 두께, 게이트 전극의 폭 길이 이외에도 게이트 전극의 형태도 큰 영향을 미친다. 본 연구는 게이트 전극의 형태가 트랜지스터 성능에 미치는 영향에 대한 것이다. 투과 전자 현미경을 이용한 물리적 분석과 TCAD 시뮬레이션을 통해, 게이트 전극이 노치 프로파일을 가질 때, 할로 임플란트 공정에서 주입된 도펀트는 채널 영역 아래에 더 가깝게 도달하여 Well 농도를 증가시킨다. 본 연구를 통해 게이트 전극의 형태와 소자 성능의 관계를 규명할 수 있었다. |
| 저자 | 김승준1, 박진홍1, 허근2 |
| 소속 | 1성균관대, 2전북대 |
| 키워드 | <P>전극; 접촉저항</P> |
